RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3807
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link