RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2785
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link