RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
33
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
18
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3286
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link