RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
47
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
47
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2640
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link