RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
38
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
38
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2961
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link