RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2816
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link