RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
24
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2618
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link