RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
33
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
22
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3286
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link