RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
69
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
69
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
1598
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link