RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2759
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 99P5471-048.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link