RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
29
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3691
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link