RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3825
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMT451R7AFR8C-RD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 994052 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT6GX3M3A1866C9 2GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CMA 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link