RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
24
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
18.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
4114
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link