RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
39
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
7.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
39
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
7.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
1868
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link