RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
33
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
32
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3049
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link