RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
74
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
74
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
1616
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C7 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link