RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
17.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
13.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
18.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
13.8
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3341
3593
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Golden Empire CL7-7-7 D3-1066 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link