RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Сравнить
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
17.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
33
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
13.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
30
Скорость чтения, Гб/сек
18.5
17.7
Скорость записи, Гб/сек
13.8
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3341
3593
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kllisre 0000 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
INTENSO 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link