RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
47
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.4
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
11.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2062
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link