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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.4
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
27
读取速度,GB/s
10.4
11.4
写入速度,GB/s
7.8
11.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2062
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Frequency (Mhz) *
calculate
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
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