RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
75
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
75
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
1578
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link