RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,071.4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
70
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3453
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link