RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
38
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
15.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
2663
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link