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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 5% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
11.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
15.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
38
读取速度,GB/s
15.8
15.9
写入速度,GB/s
11.8
11.4
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2497
2663
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
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Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
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