RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
71
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
71
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
1586
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link