RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
71
Rund um 49% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.0
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2497
1586
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5471-021.A00LF 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link