RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
36
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
21
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
3437
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link