RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сравнить
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
36
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
21
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
18.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2497
3437
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link