RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
36
Wokół strony -112% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
17
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
3550
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link