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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
36
左右 -112% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
17
读取速度,GB/s
15.8
20.9
写入速度,GB/s
11.8
16.0
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2497
3550
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Mushkin 991586 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Team Group Inc. 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
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