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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
48
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.5
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
26
读取速度,GB/s
8.9
12.5
写入速度,GB/s
5.9
10.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2693
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
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Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
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Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2800C11 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
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