RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
36
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
3810
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link