RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
36
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
3810
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link