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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
23
读取速度,GB/s
15.8
20.4
写入速度,GB/s
11.8
16.5
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2497
3810
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
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