RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Porównaj
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2322
3757
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link