Porównanie pamięci RAM Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Wynik ogólny

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

18 41

Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

20.4 13.3

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

17.2 8.5

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 12800

Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2322 3814

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns