RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3273
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link