RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3423
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link