RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3584
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link