RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3651
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link