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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
25
读取速度,GB/s
13.4
17.9
写入速度,GB/s
8.0
16.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3651
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XN205T-HYD2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
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