RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2960
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link