RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
35
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3299
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link