RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2533
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link