SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB

Wynik ogólny

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Wynik ogólny

Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Powody do rozważenia
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

2 18.2

Średnia wartość w badaniach

Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB

Powody do rozważenia
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

29 77

Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

14.6 1,884.0

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 6400

Wokół strony 3 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR2 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

77 29
Prędkość odczytu, GB/s

2,936.9 18.2
Prędkość zapisu, GB/s

1,884.0 14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps

6400 19200

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

564 3603

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905622-025.A00G 4GB

Kingston 9905622-025.A00G 4GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB

Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB

G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB

G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB

Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB

Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB