Porównanie pamięci RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Wynik ogólny

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

4 17.3

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

2,168.2 14.5

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

34 60

Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 5300

Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

941 3606

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns