RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
60
En -76% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
34
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
3606
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link