Comparaison de la RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Note globale

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

4 17.3

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

2,168.2 14.5

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

34 60

Autour de -76% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 5300

Autour de 3.21 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

941 3606

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns