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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
60
Por volta de -76% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
14.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
3606
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
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