RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
35
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2124
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link