RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3909
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link